IPP65R660CFDAAKSA1 Preços (USD) [2913pcs Estoque]
- 500 pcs$0.52427
- Número da peça:
- IPP65R660CFDAAKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V TO-220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
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IPP65R660CFDAAKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPP65R660CFDAAKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Series :
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
660 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
543pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
62.5W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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