ON Semiconductor - FCD600N60Z

KEY Part #: K6403528

FCD600N60Z Preços (USD) [127498pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.29010
  • 2,500 pcs$0.24223

Número da peça:
FCD600N60Z
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
We specialize in ON Semiconductor FCD600N60Z electronic components. FCD600N60Z can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCD600N60Z, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCD600N60Z Atributos do produto

Número da peça : FCD600N60Z
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N CH 600V 7.4A DPAK
Series : SuperFET® II
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 7.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 600 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1120pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 89W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D-Pak
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63