IXYS - IXFX26N60Q

KEY Part #: K6408838

IXFX26N60Q Preços (USD) [489pcs Estoque]

  • 1 pcs$6.98509

Número da peça:
IXFX26N60Q
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX26N60Q Atributos do produto

Número da peça : IXFX26N60Q
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 26A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5100pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 360W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PLUS247™-3
Pacote / caso : TO-247-3