SI4346DY-T1-GE3 Preços (USD) [13313pcs Estoque]
- 2,500 pcs$0.16445
- Número da peça:
- SI4346DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
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SI4346DY-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI4346DY-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.31W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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