NXP USA Inc. - PSMN5R6-100XS,127

KEY Part #: K6400058

[3528pcs Estoque]


    Número da peça:
    PSMN5R6-100XS,127
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - SCRs - Módulos ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in NXP USA Inc. PSMN5R6-100XS,127 electronic components. PSMN5R6-100XS,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN5R6-100XS,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PSMN5R6-100XS,127 Atributos do produto

    Número da peça : PSMN5R6-100XS,127
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrição : MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 61.8A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.6 mOhm @ 15A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 145nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 8061pF @ 50V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 60W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-220F
    Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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