IXYS Integrated Circuits Division - CPC3980ZTR

KEY Part #: K6404856

CPC3980ZTR Preços (USD) [278337pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.14691
  • 1,000 pcs$0.14618

Número da peça:
CPC3980ZTR
Fabricante:
IXYS Integrated Circuits Division
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 800V SOT-223.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CPC3980ZTR Atributos do produto

Número da peça : CPC3980ZTR
Fabricante : IXYS Integrated Circuits Division
Descrição : MOSFET N-CH 800V SOT-223
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : -
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 0V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 Ohm @ 100mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : ±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 115pF @ 25V
Recurso FET : Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.) : 1.8W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223
Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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