Rohm Semiconductor - 2SK2887TL

KEY Part #: K6412329

[13482pcs Estoque]


    Número da peça:
    2SK2887TL
    Fabricante:
    Rohm Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 200V 3A DPAK.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Rohm Semiconductor 2SK2887TL electronic components. 2SK2887TL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SK2887TL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SK2887TL Atributos do produto

    Número da peça : 2SK2887TL
    Fabricante : Rohm Semiconductor
    Descrição : MOSFET N-CH 200V 3A DPAK
    Series : -
    Status da Peça : Active
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 900 mOhm @ 1.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8.5nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 230pF @ 10V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 20W (Tc)
    Temperatura de operação : 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : CPT3
    Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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