[1979pcs Estoque]
- Número da peça:
- SIA850DJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SIA850DJ-T1-GE3 electronic components. SIA850DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA850DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIA850DJ-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SIA850DJ-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6
Series :
LITTLE FOOT®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
190V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
950mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
90pF @ 100V
Recurso FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) :
1.9W (Ta), 7W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacote / caso :
PowerPAK® SC-70-6 Dual
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