IPP60R170CFD7XKSA1 Preços (USD) [26492pcs Estoque]
- 1 pcs$1.55567
- Número da peça:
- IPP60R170CFD7XKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH TO220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IPP60R170CFD7XKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPP60R170CFD7XKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH TO220-3
Series :
CoolMOS™ CFD7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
14A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1199pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
75W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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