Taiwan Semiconductor Corporation - TSM120N06LCS RLG

KEY Part #: K6415742

TSM120N06LCS RLG Preços (USD) [390649pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.09468

Número da peça:
TSM120N06LCS RLG
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Propósito Específico, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM120N06LCS RLG Atributos do produto

Número da peça : TSM120N06LCS RLG
Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 23A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2193pF @ 30V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 12.5W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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