TK4R3E06PL,S1X Preços (USD) [47232pcs Estoque]
- 1 pcs$0.91146
- 50 pcs$0.73469
- 100 pcs$0.66123
- 500 pcs$0.51430
- 1,000 pcs$0.42613
- Número da peça:
- TK4R3E06PL,S1X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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TK4R3E06PL,S1X Atributos do produto
Número da peça :
TK4R3E06PL,S1X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Series :
U-MOSIX-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
48.2nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3280pF @ 30V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
87W (Tc)
Temperatura de operação :
175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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