NXP USA Inc. - BUK7880-55,135

KEY Part #: K6415288

[12461pcs Estoque]


    Número da peça:
    BUK7880-55,135
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK7880-55,135 Atributos do produto

    Número da peça : BUK7880-55,135
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrição : MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
    Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.5A (Ta)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
    Vgs (máx.) : ±16V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 500pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 1.8W (Ta)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-223
    Pacote / caso : TO-261-4, TO-261AA

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