STB11NM80T4 Preços (USD) [21268pcs Estoque]
- 1 pcs$1.93771
- 1,000 pcs$1.71791
- Número da peça:
- STB11NM80T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STB11NM80T4 electronic components. STB11NM80T4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB11NM80T4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STB11NM80T4 Atributos do produto
Número da peça :
STB11NM80T4
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Series :
MDmesh™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
400 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
43.6nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1630pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
150W (Tc)
Temperatura de operação :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D2PAK
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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