STW58N60DM2AG Preços (USD) [7952pcs Estoque]
- 1 pcs$4.84770
- 10 pcs$4.36293
- 100 pcs$3.58730
- 500 pcs$3.00557
- Número da peça:
- STW58N60DM2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 50A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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STW58N60DM2AG Atributos do produto
Número da peça :
STW58N60DM2AG
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 50A
Series :
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
90nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4100pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
360W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247
Pacote / caso :
TO-247-3
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