IRFL024NTRPBF Preços (USD) [322420pcs Estoque]
- 1 pcs$0.11472
- 2,500 pcs$0.09841
- Número da peça:
- IRFL024NTRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Single and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFL024NTRPBF electronic components. IRFL024NTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFL024NTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFL024NTRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFL024NTRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
400pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-223
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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