Nexperia USA Inc. - PHK18NQ03LT,518

KEY Part #: K6415215

PHK18NQ03LT,518 Preços (USD) [12487pcs Estoque]

  • 10,000 pcs$0.15436

Número da peça:
PHK18NQ03LT,518
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PHK18NQ03LT,518 Atributos do produto

Número da peça : PHK18NQ03LT,518
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
Series : TrenchMOS™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.15V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10.6nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1380pF @ 12V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 6.25W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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