IPT60R080G7XTMA1 Preços (USD) [25134pcs Estoque]
- 1 pcs$1.66648
- 2,000 pcs$1.65819
- Número da peça:
- IPT60R080G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IPT60R080G7XTMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPT60R080G7XTMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8
Series :
CoolMOS™ G7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
29A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 490µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1640pF @ 400V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
167W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-HSOF-8-2
Pacote / caso :
8-PowerSFN
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