IRFBA90N20DPBF Preços (USD) [12988pcs Estoque]
- 1 pcs$3.04524
- 10 pcs$2.74204
- 100 pcs$2.25462
- 500 pcs$1.88901
- 1,000 pcs$1.64526
- Número da peça:
- IRFBA90N20DPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFBA90N20DPBF electronic components. IRFBA90N20DPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBA90N20DPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFBA90N20DPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFBA90N20DPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
98A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 59A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
240nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
6080pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
650W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SUPER-220™ (TO-273AA)
Pacote / caso :
Super-220™-3 (Straight Leads)
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