Infineon Technologies - IRFBA90N20DPBF

KEY Part #: K6416291

IRFBA90N20DPBF Preços (USD) [12988pcs Estoque]

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  • 10 pcs$2.74204
  • 100 pcs$2.25462
  • 500 pcs$1.88901
  • 1,000 pcs$1.64526

Número da peça:
IRFBA90N20DPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFBA90N20DPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFBA90N20DPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 98A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 59A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 240nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6080pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 650W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SUPER-220™ (TO-273AA)
Pacote / caso : Super-220™-3 (Straight Leads)