IXTF200N10T Preços (USD) [13495pcs Estoque]
- 1 pcs$3.37581
- 25 pcs$3.35902
- Número da peça:
- IXTF200N10T
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Módulos de driver de energia and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTF200N10T electronic components. IXTF200N10T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTF200N10T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTF200N10T Atributos do produto
Número da peça :
IXTF200N10T
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5
Series :
TrenchMV™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
152nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
9400pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
156W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ISOPLUS i4-PAC™
Pacote / caso :
i4-Pac™-5
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