IXFH15N100Q3 Preços (USD) [7932pcs Estoque]
- 1 pcs$5.97589
- 10 pcs$5.43295
- 100 pcs$4.61801
- 500 pcs$3.93889
- Número da peça:
- IXFH15N100Q3
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
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IXFH15N100Q3 Atributos do produto
Número da peça :
IXFH15N100Q3
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
15A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.05 Ohm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
6.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
64nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3250pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
690W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247AD (IXFH)
Pacote / caso :
TO-247-3
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