SI8810EDB-T2-E1 Preços (USD) [644086pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05771
- 3,000 pcs$0.05743
- Número da peça:
- SI8810EDB-T2-E1
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI8810EDB-T2-E1 electronic components. SI8810EDB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8810EDB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI8810EDB-T2-E1 Atributos do produto
Número da peça :
SI8810EDB-T2-E1
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
72 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8nC @ 8V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
245pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
4-Microfoot
Pacote / caso :
4-XFBGA
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