2SJ649-AZ Preços (USD) [53747pcs Estoque]
- 1 pcs$0.79857
- Número da peça:
- 2SJ649-AZ
- Fabricante:
- Renesas Electronics America
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 60V 20A TO-220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Renesas Electronics America 2SJ649-AZ electronic components. 2SJ649-AZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 2SJ649-AZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
2SJ649-AZ Atributos do produto
Número da peça :
2SJ649-AZ
Fabricante :
Renesas Electronics America
Descrição :
MOSFET P-CH 60V 20A TO-220
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
48 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1900pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220 Isolated Tab
Pacote / caso :
TO-220-3 Isolated Tab
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