Taiwan Semiconductor Corporation - TSM6NB60CI C0G

KEY Part #: K6401244

[3118pcs Estoque]


    Número da peça:
    TSM6NB60CI C0G
    Fabricante:
    Taiwan Semiconductor Corporation
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CHANNEL 600V 6A ITO220.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Tiristores - DIACs, SIDACs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TSM6NB60CI C0G Atributos do produto

    Número da peça : TSM6NB60CI C0G
    Fabricante : Taiwan Semiconductor Corporation
    Descrição : MOSFET N-CHANNEL 600V 6A ITO220
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 Ohm @ 3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 18.3nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±30V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 872pF @ 25V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 40W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : ITO-220AB
    Pacote / caso : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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