STL8N10F7 Preços (USD) [103410pcs Estoque]
- 1 pcs$0.38001
- 3,000 pcs$0.37812
- Número da peça:
- STL8N10F7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in STMicroelectronics STL8N10F7 electronic components. STL8N10F7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STL8N10F7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STL8N10F7 Atributos do produto
Número da peça :
STL8N10F7
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 8A 8POWERFLAT
Series :
DeepGATE™, STripFET™ VII
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
20 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
22nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
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