Nexperia USA Inc. - PSMN018-100ESFQ

KEY Part #: K6420210

PSMN018-100ESFQ Preços (USD) [170600pcs Estoque]

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  • 5,000 pcs$0.20252

Número da peça:
PSMN018-100ESFQ
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Single, Módulos de driver de energia, Diodos - RF and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN018-100ESFQ Atributos do produto

Número da peça : PSMN018-100ESFQ
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CHANNEL 100V 53A I2PAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 53A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 21.4nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1482pF @ 50V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 111W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I2PAK
Pacote / caso : TO-220-3, Short Tab

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