Vishay Siliconix - IRFS9N60ATRLPBF

KEY Part #: K6393069

IRFS9N60ATRLPBF Preços (USD) [41138pcs Estoque]

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  • 800 pcs$0.89613

Número da peça:
IRFS9N60ATRLPBF
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Single and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFS9N60ATRLPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFS9N60ATRLPBF
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 49nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 170W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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