IXFP22N65X2M Preços (USD) [33790pcs Estoque]
- 1 pcs$1.21968
- Número da peça:
- IXFP22N65X2M
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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IXFP22N65X2M Atributos do produto
Número da peça :
IXFP22N65X2M
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH
Series :
HiPerFET™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
22A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
145 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 1.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
37nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2190pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
37W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220 Isolated Tab
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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