Infineon Technologies - BSO200N03

KEY Part #: K6524509

[3808pcs Estoque]


    Número da peça:
    BSO200N03
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Infineon Technologies BSO200N03 electronic components. BSO200N03 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSO200N03, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSO200N03 Atributos do produto

    Número da peça : BSO200N03
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
    Series : OptiMOS™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
    Recurso FET : Logic Level Gate
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 7.9A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 13µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 8nC @ 5V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1010pF @ 15V
    Potência - Max : 1.4W
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-DSO-8