IXYS - IXTQ102N20T

KEY Part #: K6416816

IXTQ102N20T Preços (USD) [20078pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.37219
  • 30 pcs$2.36039

Número da peça:
IXTQ102N20T
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 102A TO3P.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTQ102N20T Atributos do produto

Número da peça : IXTQ102N20T
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
Series : TrenchHV™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 102A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 114nC @ 10V
Vgs (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 6800pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 750W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-3P
Pacote / caso : TO-3P-3, SC-65-3

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