IXYS - IXTK110N20L2

KEY Part #: K6397944

IXTK110N20L2 Preços (USD) [3638pcs Estoque]

  • 1 pcs$13.09749
  • 10 pcs$12.11529
  • 100 pcs$10.34702

Número da peça:
IXTK110N20L2
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 110A TO-264.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTK110N20L2 Atributos do produto

Número da peça : IXTK110N20L2
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 200V 110A TO-264
Series : Linear L2™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 110A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 500nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 23000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 960W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-264 (IXTK)
Pacote / caso : TO-264-3, TO-264AA

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