SQJ431AEP-T1_GE3 Preços (USD) [117505pcs Estoque]
- 1 pcs$0.31477
- Número da peça:
- SQJ431AEP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CHAN 200V.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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SQJ431AEP-T1_GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SQJ431AEP-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CHAN 200V
Series :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
305 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
85nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3700pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
68W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SO-8
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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