SI7172DP-T1-GE3 Preços (USD) [64838pcs Estoque]
- 1 pcs$0.60305
- 3,000 pcs$0.56500
- Número da peça:
- SI7172DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7172DP-T1-GE3 electronic components. SI7172DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7172DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7172DP-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI7172DP-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
25A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
77nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2250pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
5.4W (Ta), 96W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PowerPAK® SO-8
Pacote / caso :
PowerPAK® SO-8
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