IXYS - IXFN48N60P

KEY Part #: K6394963

IXFN48N60P Preços (USD) [4994pcs Estoque]

  • 1 pcs$9.84512
  • 10 pcs$9.10755

Número da peça:
IXFN48N60P
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN48N60P Atributos do produto

Número da peça : IXFN48N60P
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227
Series : PolarHV™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 140 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 150nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 8860pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 625W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-227B
Pacote / caso : SOT-227-4, miniBLOC