Diodes Incorporated - DMG3415UFY4-7

KEY Part #: K6406847

DMG3415UFY4-7 Preços (USD) [1178pcs Estoque]

  • 3,000 pcs$0.03915

Número da peça:
DMG3415UFY4-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMG3415UFY4-7 Atributos do produto

Número da peça : DMG3415UFY4-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 16V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 281.9pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 400mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DFN2015H4-3
Pacote / caso : 3-XFDFN

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