IXTH2R4N120P Preços (USD) [18102pcs Estoque]
- 1 pcs$2.63129
- 30 pcs$2.61820
- Número da peça:
- IXTH2R4N120P
- Fabricante:
- IXYS
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in IXYS IXTH2R4N120P electronic components. IXTH2R4N120P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH2R4N120P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTH2R4N120P Atributos do produto
Número da peça :
IXTH2R4N120P
Fabricante :
IXYS
Descrição :
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-247
Series :
Polar™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
37nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1207pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247 (IXTH)
Pacote / caso :
TO-247-3
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