[13477pcs Estoque]
- Número da peça:
- NIF9N05CLT1
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NIF9N05CLT1 electronic components. NIF9N05CLT1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NIF9N05CLT1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NIF9N05CLT1 Atributos do produto
Número da peça :
NIF9N05CLT1
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
52V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
125 mOhm @ 2.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
7nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±15V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 35V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.69W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-223
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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