TK40E10N1,S1X Preços (USD) [51668pcs Estoque]
- 1 pcs$0.83202
- 50 pcs$0.67264
- 100 pcs$0.60537
- 500 pcs$0.47083
- 1,000 pcs$0.39012
- Número da peça:
- TK40E10N1,S1X
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET N CH 100V 90A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK40E10N1,S1X electronic components. TK40E10N1,S1X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK40E10N1,S1X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK40E10N1,S1X Atributos do produto
Número da peça :
TK40E10N1,S1X
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET N CH 100V 90A TO220
Series :
U-MOSVIII-H
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
49nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3000pF @ 50V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
126W (Tc)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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