ON Semiconductor - FDB9409-F085

KEY Part #: K6394569

FDB9409-F085 Preços (USD) [92328pcs Estoque]

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Número da peça:
FDB9409-F085
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDB9409-F085 Atributos do produto

Número da peça : FDB9409-F085
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
Series : Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2980pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 94W (Tj)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D²PAK (TO-263)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB