Número da peça :
GA50JT06-258
Fabricante :
GeneSiC Semiconductor
Descrição :
TRANS SJT 600V 100A
Tecnologia :
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 50A
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Dissipação de energia (máx.) :
769W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-258
Pacote / caso :
TO-258-3, TO-258AA