IRFPG30PBF Preços (USD) [27999pcs Estoque]
- 1 pcs$1.41905
- 10 pcs$1.28288
- 100 pcs$0.97789
- 500 pcs$0.76057
- 1,000 pcs$0.63019
- Número da peça:
- IRFPG30PBF
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - JFETs, Diodos - RF and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFPG30PBF electronic components. IRFPG30PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFPG30PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFPG30PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFPG30PBF
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
80nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
980pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
125W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-247-3
Pacote / caso :
TO-247-3
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