NTR4171PT1G Preços (USD) [854544pcs Estoque]
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- 3,000 pcs$0.04328
- Número da peça:
- NTR4171PT1G
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTR4171PT1G electronic components. NTR4171PT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTR4171PT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTR4171PT1G Atributos do produto
Número da peça :
NTR4171PT1G
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15.6nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
720pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
480mW (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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