ON Semiconductor - NTR4171PT1G

KEY Part #: K6418662

NTR4171PT1G Preços (USD) [854544pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.04350
  • 3,000 pcs$0.04328

Número da peça:
NTR4171PT1G
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTR4171PT1G Atributos do produto

Número da peça : NTR4171PT1G
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 15.6nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 720pF @ 15V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 480mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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