SQD50N06-09L_GE3 Preços (USD) [35079pcs Estoque]
- 1 pcs$1.17485
- 2,000 pcs$1.00316
- Número da peça:
- SQD50N06-09L_GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 50A.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Módulos de driver de energia and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SQD50N06-09L_GE3 electronic components. SQD50N06-09L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQD50N06-09L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQD50N06-09L_GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SQD50N06-09L_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 50A
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
72nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3065pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
136W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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