Vishay Siliconix - SQD50N06-09L_GE3

KEY Part #: K6417582

SQD50N06-09L_GE3 Preços (USD) [35079pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.17485
  • 2,000 pcs$1.00316

Número da peça:
SQD50N06-09L_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 50A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
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Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD50N06-09L_GE3 Atributos do produto

Número da peça : SQD50N06-09L_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N-CH 60V 50A
Series : TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3065pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 136W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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