SSM6J501NU,LF Preços (USD) [699747pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05844
- 3,000 pcs$0.05815
- Número da peça:
- SSM6J501NU,LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Matrizes, Módulos de driver de energia, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
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SSM6J501NU,LF Atributos do produto
Número da peça :
SSM6J501NU,LF
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
Series :
U-MOSVI
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15.3 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
29.9nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2600pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-UDFNB (2x2)
Pacote / caso :
6-WDFN Exposed Pad
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