Transphorm - TPH3208LS

KEY Part #: K6397878

TPH3208LS Preços (USD) [7633pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.76876
  • 10 pcs$5.19189
  • 100 pcs$4.26888
  • 500 pcs$3.57663

Número da peça:
TPH3208LS
Fabricante:
Transphorm
Descrição detalhada:
GANFET N-CH 650V 20A PQFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Diodos - RF and Transistores - JFETs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPH3208LS Atributos do produto

Número da peça : TPH3208LS
Fabricante : Transphorm
Descrição : GANFET N-CH 650V 20A PQFN
Series : -
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.6V @ 300µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 8V
Vgs (máx.) : ±18V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 760pF @ 400V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 96W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 3-PQFN (8x8)
Pacote / caso : 3-PowerDFN

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