BSB165N15NZ3GXUMA1 Preços (USD) [54861pcs Estoque]
- 1 pcs$0.71272
- Número da peça:
- BSB165N15NZ3GXUMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
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BSB165N15NZ3GXUMA1 Atributos do produto
Número da peça :
BSB165N15NZ3GXUMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Ta), 45A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
16.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 110µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2800pF @ 75V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.8W (Ta), 78W (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacote / caso :
3-WDSON
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