FCPF650N80Z Preços (USD) [68249pcs Estoque]
- 1 pcs$0.57291
- 1,000 pcs$0.53817
- Número da peça:
- FCPF650N80Z
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 800V 8A TO220F.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
- Vantagem competitiva:
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FCPF650N80Z Atributos do produto
Número da peça :
FCPF650N80Z
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
Series :
SuperFET® II
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
650 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 800µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1565pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
30.5W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220F
Pacote / caso :
TO-220-3 Full Pack
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