Rohm Semiconductor - RQ1E050RPTR

KEY Part #: K6420935

RQ1E050RPTR Preços (USD) [297223pcs Estoque]

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  • 3,000 pcs$0.13689

Número da peça:
RQ1E050RPTR
Fabricante:
Rohm Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RQ1E050RPTR Atributos do produto

Número da peça : RQ1E050RPTR
Fabricante : Rohm Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 31 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 700mW (Ta)
Temperatura de operação : 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TSMT8
Pacote / caso : 8-SMD, Flat Lead

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