Infineon Technologies - IPD90N04S4L04ATMA1

KEY Part #: K6420573

IPD90N04S4L04ATMA1 Preços (USD) [213528pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.17322
  • 2,500 pcs$0.15891

Número da peça:
IPD90N04S4L04ATMA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - RF, Tiristores - TRIACs, Diodos - Retificadores - Solteiro and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD90N04S4L04ATMA1 Atributos do produto

Número da peça : IPD90N04S4L04ATMA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
Series : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 35µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 60nC @ 10V
Vgs (máx.) : +20V, -16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 4690pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 71W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO252-3-313
Pacote / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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