Microsemi Corporation - APTM20UM03FAG

KEY Part #: K6396608

APTM20UM03FAG Preços (USD) [497pcs Estoque]

  • 1 pcs$135.10913
  • 10 pcs$128.58487
  • 25 pcs$123.92611

Número da peça:
APTM20UM03FAG
Fabricante:
Microsemi Corporation
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 200V 580A SP6.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Tiristores - TRIACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM20UM03FAG Atributos do produto

Número da peça : APTM20UM03FAG
Fabricante : Microsemi Corporation
Descrição : MOSFET N-CH 200V 580A SP6
Series : POWER MOS 7®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 580A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.6 mOhm @ 290A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 15mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 840nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 43300pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2270W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Chassis Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SP6
Pacote / caso : SP6

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