ZXMN3F31DN8TA Preços (USD) [193225pcs Estoque]
- 1 pcs$0.19142
- 500 pcs$0.10528
- Número da peça:
- ZXMN3F31DN8TA
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - FETs, MOSFETs - Single ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN3F31DN8TA electronic components. ZXMN3F31DN8TA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN3F31DN8TA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN3F31DN8TA Atributos do produto
Número da peça :
ZXMN3F31DN8TA
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12.9nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
608pF @ 15V
Potência - Max :
1.8W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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